半导体核嬗变掺杂
编辑：Simone
2025-04-26 22:59:04
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半导体核嬗变掺杂是用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料，通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素，达到半导体材料的掺杂目的。只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克－霍罗维茨于1951年提出的。1974年成功地用核反应堆热中子对区熔硅进行核嬗变掺杂，首次生产了商品的中子嬗变掺杂硅。中子掺杂硅单晶已成为工业产品，产量逐年增加。
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