发光二极管的封装方法及其结构
编辑：Simone
2025-02-23 03:18:35
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《发光二极管的封装方法及其结构》是展晶科技（深圳）有限公司、荣创能源科技股份有限公司于2013年6月27日申请的专利，该专利的公布号为CN104253189A，公布日为2014年12月31日，发明人是蔡明达、杨闵舜、陈靖中、张忠民。
《发光二极管的封装方法及其结构》包括以下步骤：提供一电极架，所述电极架包含至少一个电极组，每个电极组包含一个第一电极和一个第二电极，所述第一电极和第二电极间隔设置；提供一模具，该模具包含上模和下模，上模设有至少一个凸出部，下模设有容置槽；在容置槽中注入液态高分子材料，并将电极架浸泡于容置槽中的液态高分子材料中；压合上模、下模使凸出部与电极架接触，固化液态高分子材料，并脱上、下模，以获得发光二极管的反射杯及基板；在反射杯内设置发光二极管芯片，并使发光二极管芯片与电极架电连接；在反射杯中填充封装材料。该发明提供的发光二极管封装方法，可有效避免生产过程中的流料不均和气泡产生。该发明还提供一种发光二极管。
2017年12月11日，《发光二极管的封装方法及其结构》获得第十九届中国专利优秀奖。
（概述图为《发光二极管的封装方法及其结构》摘要附图）
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